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同时，套煎所制器件还提供了研究钉扎机制的平台，并表明在该器件中金属诱导间隙态机制是钉扎的主导机制。研究人员认为，煎饼街随着CNT薄膜厚度增加，煎饼街顶层金属的金属诱导间隙态效应和费米能级钉扎减弱，从而使漏电流增大，而当CNT薄膜厚度进一步增加时，薄膜中CNT密度及电子密度也会增加，从而产生新的钉扎效应，导致漏电流减小，这得到了实验的验证，即随着CNT薄膜厚度及密度的增加，CNT/Ge结闭态漏电流逐渐减小（图3）。d.结M1-M5开、果攻陷闭态电流值以及CNT插入层厚度对比图。

纽约a.2英寸Ge晶圆上CNT薄膜（比例尺：1cm）。套煎c.器件D1在224.2-331.0K变温测试下的I-V特性。

煎饼街d.二极管阵列在黑暗及1065nm激光下的特性曲线。

3）在室温下制备了晶圆级二极管阵列，果攻陷避免了离子注入和高温退火，得到4.6×104的高开关比和优异的红外响应。斩获重磅殊荣，纽约意味着欧若德门窗的综合实力获得行业、纽约媒体及市场的高度肯定与认可，同时也是欧若德门窗多维度展示品牌影响力、开启品牌新征程的关键一步。

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